300-миллиметровая монокристаллическая фиктивная кремниевая пластина

Пластины монокристаллического кремния изготавливаются путем выращивания монокристалла кремния из затравочного кристалла с использованием метода Чохральского. В этом процессе небольшой затравочный кристалл погружается в расплавленный кремний и медленно вытягивается при вращении, в результате чего получается цилиндрический слиток. Затем слиток нарезается на тонкие пластины с помощью пил с алмазной проволокой.

Пластины монокристаллического кремния представляют собой однородные и бездефектные подложки, изготовленные из монокристалла кремния. Обычно они имеют круглую форму с диаметром от нескольких миллиметров до 450 мм и более и толщиной от нескольких микрон до нескольких сотен микрон.

Монокристаллические кремниевые пластины обладают превосходными электрическими свойствами, включая высокую подвижность носителей, низкое сопротивление и высокую диэлектрическую прочность, что делает их идеальными для высокопроизводительных приложений. Также они обладают высокой теплопроводностью и могут выдерживать высокие температуры, что критично для надежности устройства.