Карбид кремния о полупроводнике с широкой запрещенной зоной
Карбид кремния считается полупроводником с широкой запрещенной зоной из-за его большой ширины запрещенной зоны (примерно 3,0 эВ для обычного гексагонального политипа). Это свойство позволяет ему выдерживать более высокие напряжения и температуры по сравнению с обычными полупроводниками на основе кремния.
Описание
Описание
Карбид кремния (SiC) широко известен как полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной.
Спецификация
|
Черный карбид кремния(Продукты могут бытьиндивидуальные)
|
||||||
|
Цель
|
Спецификация
|
Химический состав (в процентах)
|
Максимальное содержание магнитного материала (в процентах)
|
|||
|
SIC-мин
|
FC-макс.
|
Fe2O3-макс.
|
||||
|
Абразивы
|
Зерно
|
12-80
|
98
|
0.20
|
0.6
|
0.0023
|
|
90-150
|
97
|
0.30
|
0.8
|
0.0021
|
||
|
180-220
|
97
|
0.30
|
1.2
|
0.0018
|
||
|
Микропорошок
|
240-4000
|
96
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
|
Огнеупорный класс
|
Размер группы
(мм)
|
0-1
|
97
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
1-3
|
||||||
|
3-5
|
||||||
|
5-8
|
||||||
|
Мелкий порошок
(сетка)
|
-180
|
97
|
0.35
|
1.35
|
-
|
|
|
-200
|
||||||
|
-240
|
||||||
|
-320
|
||||||
|
Цвет
|
Черный
|
|||||
|
Твердость (Моос)
|
9.15
|
|||||
|
Температура плавления (градусы)
|
2250
|
|||||
|
Максимальная рабочая температура (градусы)
|
1900
|
|||||
|
Плотность (г/см3)
|
3.9
|
|||||
Вот некоторая информация о SiC как широкозонном полупроводнике:
- Широкая ширина запрещенной зоны: карбид кремния имеет значительно более широкую ширину запрещенной зоны по сравнению с традиционными полупроводниками, такими как кремний. Ширина запрещенной зоны SiC колеблется примерно от 2,2 до 3,3 электрон-вольт (эВ) в зависимости от кристаллической структуры и политипа.
- Высокое напряжение пробоя: широкая запрещенная зона SiC обеспечивает возможность использования высокого напряжения пробоя. Устройства на основе карбида кремния могут выдерживать более высокие электрические поля, прежде чем произойдет пробой, что делает их подходящими для высоковольтных приложений.
- Работа при высоких температурах: широкая запрещенная зона карбида кремния также позволяет работать при высоких температурах. Устройства SiC могут сохранять свою производительность и надежность при повышенных температурах, что делает их подходящими для приложений, испытывающих высокие тепловые нагрузки.
- Эффективное преобразование энергии: широкая запрещенная зона SiC в сочетании с его превосходной теплопроводностью и низким сопротивлением во включенном состоянии обеспечивает более эффективное преобразование энергии по сравнению с традиционными устройствами на основе кремния. Силовые электронные устройства на основе карбида кремния, такие как диоды, полевые МОП-транзисторы и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором), обеспечивают снижение потерь мощности, более высокие рабочие частоты и повышенную энергоэффективность.
- Более высокая скорость переключения: широкая запрещенная зона и высокая подвижность электронов SiC обеспечивают более высокую скорость переключения для устройств на основе SiC. Устройства SiC могут включаться и выключаться быстрее, что позволяет использовать более высокие частоты переключения.
- Широкий диапазон применений: полупроводниковые свойства SiC с широкой запрещенной зоной делают его пригодным для различных применений. Он широко используется в силовой электронике, включая трансмиссии электромобилей (EV), системы возобновляемой энергии (такие как солнечные и ветряные инверторы), приводы промышленных двигателей и высокочастотные переключатели.
Полупроводниковые свойства карбида кремния с широкой запрещенной зоной позволяют ему превосходить традиционные полупроводники на основе кремния в высоковольтных, высокотемпературных и мощных приложениях.
Технология SiC постоянно развивается и может произвести революцию в различных отраслях, создавая более эффективные, компактные и надежные силовые электронные системы.
Часто задаваемые вопросы
Q: Iцена договорная?
О: Да, если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы сделаем все возможное, чтобы поддержать клиентов, которые хотят расширить рынок.
Q: Cвы предоставляете бесплатные образцы?
О: Да, мы можем предоставить бесплатные образцы.
Q: CВы используете наши спецификации для производства своей продукции? Поддерживаются ли индивидуальные продукты?
A: Да, если вы можете выполнить наш минимальный объем заказа, технические характеристики продукта могут быть изменены.
Вопрос: вы производитель?
О: Да, мы являемся производителем, расположенным в городе Аньян, провинция Хэнань.
горячая этикетка : карбид кремния с широкозонным полупроводником
Отправить запрос
Вам также может понравиться