Кремний Карбон

Спецификация

Обзор рынка SiC на 8 сентября 2023 г.

По сравнению с традиционными кремниевыми (Si) полупроводниками, полупроводники SiC имеют запрещенную зону в три раза больше, чем у кремния, а поле пробоя в восемь раз больше, чем у кремния. Это позволяет полупроводникам SiC выдерживать более высокие температуры, более сильные электрические поля и более сильную радиационную среду. Кроме того, полупроводники SiC также обладают высокой подвижностью носителей заряда и превосходной стойкостью к химической коррозии, что делает их перспективными кандидатами для использования в условиях высоких температур, высокого давления, высоких частот и высокого уровня радиации.

Полупроводники SiC в электронной области применяются в основном в силовых устройствах, датчиках, радиочастотных устройствах и логических устройствах. В области энергетики полупроводники SiC в основном используются в высоковольтном, высокотемпературном и мощном электронном оборудовании, таком как инверторы, приводы двигателей, солнечные инверторы, источники питания и т. д. В области энергетики полупроводники SiC используются в основном используется для преобразования и хранения возобновляемой энергии, такой как энергия ветра и солнца, а также для зарядки и вождения электромобилей.

Процесс производства полупроводников SiC в основном включает в себя такие этапы, как выращивание, нарезка, полировка, металлизация и упаковка. Среди них рост является ключевым этапом в производстве полупроводников SiC, который требует использования высокотемпературного, высокого давления, сырья высокой чистоты и сложного оборудования для выращивания.

Хотя полупроводники SiC имеют множество преимуществ, существуют также некоторые проблемы при производстве и применении, такие как высокие производственные затраты, пассивация поверхности, металлические примеси и термическая стабильность. В будущем, благодаря постоянному развитию технологий, полупроводники SiC будут более широко использоваться и продвигаться.

Часто задаваемые вопросы