Кремниевая пластина CZ

Кремниевая пластина CZ

Кремниевые пластины CZ обычно используются в полупроводниковой промышленности в качестве подложек для изготовления интегральных схем, микропроцессоров и других электронных устройств. Они ценятся за высокую чистоту, низкую плотность дефектов и отличные электрические свойства.

Описание

 

Описание

Кремниевая пластина CZ представляет собой тип кремниевой пластины, изготовленной с использованием метода Чохральского (CZ), который является популярным методом выращивания монокристаллов кремния. Метод CZ включает плавление кремния высокой чистоты в тигле, а затем медленное вытягивание затравочного кристалла из расплава при вращении тигля и затравочного кристалла в противоположных направлениях.

Когда затравочный кристалл вытягивается из расплава, кремний затвердевает в цилиндрической форме вокруг затравочного кристалла. В результате этого процесса получается монокристалл кремния без дефектов и высокой степени чистоты.

Спецификация
Диаметр 2"  3"  4"  5"  6"  8"  12" 
Оценка Основной
Метод роста Чехия
Ориентация < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
Тип/легирующая добавка P-тип/бор, N-тип/Phos, N-тип/As, N-тип/Sb
Толщина (мкм) 279 380 525 625 675 725 775
Допуск по толщине Стандарт ± 25 мкм, максимальные возможности ± 5 мкм ± 20μm ± 20μm
Удельное сопротивление 0.001 - 100 Ом-см
Поверхность закончена P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (мкм) Стандарт< 10 um, Maximum Capabilities <5 um
Лук/Деформация (?м) Стандарт<40 um,  Maximum Capabilities <20 um <40μm <40μm

CZ Silicon Wafer

CZ Silicon Wafer

 

 

 

 

горячая этикетка : cz кремниевая пластина

Вам также может понравиться

Сумки для покупок