Полупроводник кремниевой пластины FZ
Описание Кремниевая пластина FZ представляет собой тип кремниевой пластины высокой чистоты, которая обычно используется в полупроводниковой промышленности. FZ расшифровывается как Float Zone, метод выращивания монокристаллического кремния. Во время процесса FZ кремниевый стержень подвешивается вертикально в высокотемпературной печи и...
Описание
Описание
Кремниевая пластина FZ представляет собой тип кремниевой пластины высокой чистоты, которая обычно используется в полупроводниковой промышленности. FZ расшифровывается как Float Zone, метод выращивания монокристаллического кремния.
Во время процесса FZ кремниевый стержень подвешивают вертикально в высокотемпературной печи, а расплавленную зону создают путем нагревания небольшого участка стержня. Расплавленная зона перемещается по длине стержня и по мере охлаждения затвердевает в монокристалл. Процесс повторяется несколько раз, пока вся длина стержня не превратится в единый кристалл.
Кремниевые пластины FZ имеют очень высокий уровень чистоты, уровень примесей обычно составляет менее одной части на миллиард. Эта чистота делает их идеальными для использования в высокопроизводительных электронных устройствах, таких как микропроцессоры, микросхемы памяти и солнечные элементы. Пластины FZ также используются в научных исследованиях и в производстве высокопроизводительных датчиков и детекторов.
Спецификация
| Диаметр | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Метод роста | ФЗ | |||||
| Ориентация | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| Тип/легирующая добавка | Внутренний, N-тип/Phos, P-тип/Boron | |||||
| Толщина (мкм) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Допуск по толщине | Стандарт ± 25 мкм | ±50 мкм | ||||
| Удельное сопротивление (Ом-см) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000 и 1-5 | |||||
| Поверхность закончена | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| ТТВ (гм) | Стандарт< 10 um | |||||
| Лук/Деформация (гм) | Стандарт<40 um | |||||

горячая этикетка : полупроводниковая полупроводниковая кремниевая пластина fz
Отправить запрос
Вам также может понравиться
